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Parallel Generating Sets – Inmesol

The provenance and trade of objects and raw materials has always been of great interest to archaeologists. Ancient artifacts are not simply materials for classification, but are direct proof of how ancient technology evolved. In this way, not only questions on mining, arts and crafts or trade are answered, but social stratigraphy (e.g., presence of exotic goods) and chronological changes in the standard of living (e.g., changing proportions of import) are also documented.

The provenance and trade of artifacts and raw materials have always been of great interest to archaeologists. Ancient artifacts are not mere materials to be classified but constitute direct evidence of the evolution of ancient technologies. They make it possible to find an answer to numerous unknowns regarding mining, arts, crafts and trade, as well as to document social stratigraphy (e.g. through the presence of exotic objects) and changes in the quality of life over time (by examining the proportion of imported goods).

Universidad de murcia correo 2022

Los nanomateriales Au-ZnO se probaron en reacciones de fotodegradación realizadas bajo luz UV-Visible; se seleccionaron como moléculas objetivo el Fenol, el Catecol y la Hidroquinona, y se comprobó que la Hidroquinona es la molécula más sensible a ser degradada bajo iluminación. La adición de Au aumenta significativamente la actividad fotocatalítica del ZnO en la degradación de los compuestos fenólicos y el contenido de Au es un factor importante que influye en las propiedades fisicoquímicas de los nanomateriales sintetizados y, por tanto, en la eficacia del tratamiento fotocatalítico. La mayor efectividad en la eliminación de los compuestos fenólicos se consiguió utilizando ZnO modificado por la adición de 2 % en peso de oro, esto se debe a la mayor absorción de este material en la región visible del espectro electromagnético. Mediante análisis de HPLC, se determinó que la ruta de degradación de los compuestos fenólicos depende del fotocatalizador empleado en la reacción catalítica y del sustrato a degradar, así, la degradación del Fenol tiene lugar por la formación de más compuestos intermedios que los observados en la fotodegradación del Catecol o la Hidroquinona.

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La fundición dúctil austenítica con alto contenido de níquel (CHNADI) se utiliza ampliamente en entornos de alta temperatura, baja temperatura y fuerte corrosión debido a sus buenas propiedades mecánicas integrales. Sin embargo, su bajo límite elástico limita su aplicación en equipos de energía nuclear. En este caso, se investigó la influencia del nodularizante y de la temperatura de procesado en el grafito y en las propiedades mecánicas del CHNADI para mejorar significativamente sus propiedades. Con el aumento de la dosis de nodularizante, las propiedades mecánicas de la resistencia a la tracción, el límite elástico, el alargamiento y la tenacidad al impacto aumentan primero y luego disminuyen. Cuando la dosis de nodularizante es del 0,9% en masa y la temperatura de procesado es de 1480°C, la CHNADI presenta excelentes propiedades mecánicas con una dureza de 132 HB, una resistencia a la tracción de 450 MPa, un límite elástico de 224 MPa, un índice de alargamiento del 46% y una tenacidad al impacto de 91 J. En este trabajo se propone una nueva estrategia de preparación de la CHNADI sin tratamiento térmico para cumplir los estrictos requisitos de este material, lo cual es importante para el desarrollo de la CHNADI.

Universidad de murcia correo 2021

Empezar porSubject View AllNum.Add Bulk nitrides : Izabella Grzegory 13:45 Sustrato de GaN cultivado mediante HVPE con baja densidad de dislocaciones y relación entre el arqueo de la red y los defectos Autores : Narihito Okada1, Keisuke Yamane2, Tohoru Matsubara1,3, Shin Goubara1, Hiroshi Ihara1, Kota Yukizane1, Tatsuya Ezak1i1, Satoru Fujimoto1, Ryo Inomoto1, Kazuyuki Tadatomo1Afiliaciones : 1 Universidad de Yamaguchi, 2 Universidad Tecnológica de Toyohashi

3 Laboratorio de Análisis Científico UBE, Inc. JapónResumen : En este artículo, informamos sobre la fabricación de sustratos de GaN con una densidad de dislocación globalmente baja y sobre el mecanismo de arqueo de la red de los sustratos de GaN independientes cultivados mediante epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE).

Introducimos una técnica de crecimiento en dos pasos que implica una reducción de la densidad de dislocaciones utilizando el crecimiento de facetas como primer paso y el crecimiento de aplanamiento de la capa de GaN como segundo paso. La densidad de dislocación del sustrato de GaN mediante la técnica de crecimiento en dos pasos era del orden de 10^5?10^6 /cm^2. Para reducir aún más la densidad de dislocación, demostramos una técnica de crecimiento en varios pasos basada en el crecimiento en dos pasos anterior y conseguimos que el sustrato de GaN tuviera una densidad de dislocación global del orden de 10^4?10^5 /cm^2.